Booster la vitesse des ordinateurs avec des semi-conducteurs à taille atomique

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Vous rappelez-vous de l’époque où vous pouviez utiliser votre smartphone sans le recharger pendant toute une journée ? Un nouveau type de semi-conducteur 2D pourrait nous permettre d’à nouveau profiter d’une journée complète d’utilisation de nos smartphones et nos ordinateurs sans avoir à nous soucier de la batterie. Il pourrait, en plus, permettre d’améliorer la vitesse de traitement, bien au delà de la trajectoire de la loi de Moore. Ce nouveau semi-conducteur est constitué d’oxyde d’étain, qui se compose… d’éléments d’étain (évidemment) et d’oxygène. Le matériau a l’épaisseur d’un seul atome, ce qui permettrait aux charges électriques de traverser plus rapidement que les matériaux 3D classiques actuellement utilisées (principalement du silicium). Découvert par une équipe dirigée par Ashutosh Tiwari, un ingénieur en sciences des matériaux et professeur associé à l’Université de l’Utah, les détails de leurs travaux de recherche ont récemment été publiés dans la revue Advanced Materials électroniques.

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Ingénieur en technologie de l'information, passionné par l'innovation et la singularité. Co-fondateur du think tank virtuel Paris Singularity.

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