Le graphène au secours d’une des 3 lois de Moore

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Des scientifiques de l’U.S. Department of Energy’s Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) ont mis au point une méthode pour assembler chimiquement des transistors et des circuits ne mesurant que quelques atomes d’épaisseur. Leur travail fait partie d’une nouvelle vague de recherche visant à continuer à alimenter le rythme d’une des trois lois de Moore selon laquelle le nombre de transistors dans un circuit intégré double approximativement tous les deux ans. Pour maintenir ce rythme, les scientifiques prédisent que l’électronique intégrée va bientôt nécessiter l’utilisation de transistors mesurant moins de dix nanomètres de longueur.

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